ERFOLG DURCH INNOVATION

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Seltenerd-Metalloxidschichten für Halbleiterbauteile

Elektronische Geräte benötigen immer kleinere Bauteile.
Eine Erfindung der Universität Oldenburg ermöglicht nun besonders dünne Isolationsschichten für Halbleiter von Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs). Seltenerd-Metalloxide sind dafür aufgrund ihrer elektrischen Eigenschaften besonders geeignet.

 

Das Verfahren zur Herstellung der hochreinen Schichten ist robust und energieeffizient. Extrem glatte 2D-Schichten können aus wenigen Atomlagen bis unter 5 nm erzeugt werden, poröse Strukturen erreichen 250 nm dünne Schichten.

 

© Universität Bremen

    

 

ANWENDUNGSBEREICH

Halbleiterbauteile,
Katalysatormaterialien,
Oberflächenbeschichtungen

SCHLÜSSELWÖRTER

Seltenerdoxide, MOSFET

SCHUTZRECHTE

DE 10 2008 029385 B4
erteilt

ANGEBOT

Lizensierung, Verkauf, Kooperation und Weiterentwicklung

EINE ERFINDUNG VON

Carl von Ossietzky Universität Oldenburg, Institut für Reine und Angewandte Chemie

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